FQA11N90C MOSFET 900V N-Ch Q-FET avance de la série C
Catégorie:
N P Mosfet du canal
Les spécifications
Type de transistor ::
1 canal N
Vgs - Tension porte-source ::
- 30 V, + 30 V
Mettre en évidence:
Le numéro de série FQA11N90
,MOSFET 900V
,Le MOSFET FQA11N90C
Introduction au projet
| Attribut du produit | Valeur attribuée |
| Nom du fabricant: | un demi |
| Catégorie de produit: | MOSFET |
| Pour les véhicules à moteur: | Détails |
| Technologie: | Je sais. |
| Mode de montage: | À travers le trou |
| Emballage / boîtier: | Pour les véhicules à moteur |
| Polarité du transistor: | N-canal |
| Nombre de chaînes: | 1ère chaîne |
| Vds - Voltage de rupture de la source de vidange: | Pour les appareils électroniques |
| Id - Courant de vidange continu: | 11 A |
| Rds On - Résistance à la source de drainage: | 1.4 Ohms |
| Vgs - Tension de la source de sortie: | - 30 V, + 30 V |
| Température de fonctionnement minimale: | - 55 °C |
| Température de fonctionnement maximale: | + 150 °C |
| Pd - Dissipation de puissance: | 300 W |
| Mode du canal: | Amélioration |
| Emballage: | Tuyaux |
| Marque: | Onsemi / Fairchild |
| La configuration: | Unique |
| Temps d'automne: | 85 ns |
| Transconductivité vers l'avant - Min: | 9 S |
| La hauteur: | 20.1 mm |
| Longueur: | 16.2 mm |
| Type de produit: | MOSFET |
| Heure de montée: | 130 ns |
| Quantité dans l'emballage d'usine: | 30 |
| Subcatégorie: | Les MOSFET |
| Type de transistor: | 1 N-canal |
| Le type: | MOSFET |
| Temps de retard typique pour l'arrêt: | 130 ns |
| Temps de retard typique d'allumage: | 60 ns |
| Largeur: | 5 mm |
| Partie # Alias: | Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. |
| Poids unitaire: | 0.162260 onces |
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