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IXFN38N100Q2 Modules de semi-conducteurs discrets 38 Ampères 1000V 0,25 Rds

fabricant:
IXYS
Définition:
IXFN38N100Q2 Modules de semi-conducteurs discrets 38 Ampères 1000V 0,25 Rds
Catégorie:
Module d'IGBT
Dans-actions:
100 pièces
Prix:
Email us for details
Méthode de paiement:
T/T, Western Union
Les spécifications
Code de la date:
Code le plus récent
Expédition par:
DHL/UPS/Fedex
Condition:
Nouveau*Original
Garantie:
365 jours
sans plomb:
Conforme à la norme Rohs
Temps de réalisation:
Envoi immédiat
Introduction au projet

IXFN38N100Q2 Modules de semi-conducteurs discrets 38 Ampères 1000V 0,25 Rds

IXFN38N100Q2 Modules de semi-conducteurs discrets 38 Ampères 1000V 0,25 Rds

IXYS
Catégorie de produit: Modules à semi-conducteurs discrets
Pour les véhicules à moteur: Détails
Modules MOSFET de puissance
Je sais.
- 30 V, + 30 V
Montage du châssis
Le code de conduite est le code SOT-227-4.
- 55 °C
+ 150 °C
Pour les véhicules à moteur électrique
Tuyaux
Marque: IXYS
La configuration: Unique
Temps d'automne: 15 ns
La hauteur: 9.6 mm
Id - Courant de vidange continu: 38 A
Longueur: 38.23 mm
Nombre de chaînes: 1ère chaîne
Pd - Dissipation de puissance: 890 W
Type de produit: Modules à semi-conducteurs discrets
Rds On - Résistance à la source de drainage: 250 mOhms
Heure de montée: 28 ns
Subcatégorie: Modules à semi-conducteurs discrets
Nom commercial: HiPerFET
Polarité du transistor: N-canal
Temps de retard typique pour l'arrêt: 57 ns
Temps de retard typique d'allumage: 25 ns
Vds - Voltage de rupture de la source de vidange: 1 kV
Largeur: 25.42 mm
Poids unitaire: 1.058219 once

 

IXFN38N100Q2 Modules de semi-conducteurs discrets 38 Ampères 1000V 0,25 Rds

 

IXFN38N100Q2 Modules de semi-conducteurs discrets 38 Ampères 1000V 0,25 Rds

 

IXFN38N100Q2 Modules de semi-conducteurs discrets 38 Ampères 1000V 0,25 Rds

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Nombre de pièces:
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