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BS816A-1 Mode d'amélioration des canaux P DMOS TRANSISTOR Transistors RF à haute puissance

Catégorie:
Transistors RF
Prix:
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Méthode de paiement:
T/T, Western Union
Les spécifications
Code de la date:
Code le plus récent
Expédition par:
DHL/UPS/FEDEX
Condition:
Nouveau*Original
Garantie:
365 jours
sans plomb:
Conforme à la norme Rohs
Temps de réalisation:
Envoi immédiat
Le paquet:
16POSN
Mode de montage:
DSM/SMT
Introduction au projet

BS816A-1 Mode d'amélioration des canaux P DMOS TRANSISTOR Les transistors RF

Diodes électroniques
Catégorie de produit: Amélioration du canal P
Pour les véhicules à moteur: Détails
-
16POSN
La norme
Poids unitaire: - Une once.

 

Ce transistor est adapté pour les amplificateurs de puissance RF dans diverses applications telles que la communication sans fil,

Les équipements de radiodiffusion et les équipements RF industriels.

● Mode d'amélioration du canal P
● Technologie des transistors DMOS
● Une grande capacité de traitement de la puissance
● Une large plage de fréquences
● Faible bruit
● Un gain élevé
● Une bonne linéarité
● Une légère distorsion du signal
● Conforme à la directive RoHS

 

 

Caractéristiques
• Voltage de rupture élevé
• Impédance d'entrée élevée
• Vitesse de commutation rapide
• Spécialement adapté aux sous-ensembles téléphoniques
• Idéal pour le montage automatique de la surface

 

BS816A-1 Mode d'amélioration des canaux P DMOS TRANSISTOR Transistors RF à haute puissance

BS816A-1 Mode d'amélioration des canaux P DMOS TRANSISTOR Transistors RF à haute puissance

 

 

 

BS816A-1 Mode d'amélioration des canaux P DMOS TRANSISTOR Transistors RF à haute puissance


 

BS816A-1 Mode d'amélioration des canaux P DMOS TRANSISTOR Transistors RF à haute puissance

 

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Le stock:
Nombre de pièces:
1pcs