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2SA1943-O ((Q) Bipolaire (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30 MHz 150 W à travers le trou TO-3P ((L)

fabricant:
Toshiba
Définition:
2SA1943-O ((Q) Bipolaire (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30 MHz 150 W à travers le trou TO-3P ((L)
Catégorie:
Transistors RF
Dans-actions:
2000 pièces
Prix:
Email us for details
Méthode de paiement:
T/T, Western Union
Les spécifications
Code de la date:
Code le plus récent
Expédition par:
DHL/UPS/Fedex
Condition:
Nouveau*Original
Garantie:
365 jours
sans plomb:
Conforme à la norme Rohs
Temps de réalisation:
Envoi immédiat
Le paquet:
TO-3P-3
Mode de montage:
À travers le trou
Introduction au projet

2SA1943-O ((Q) Bipolaire (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30 MHz 150 W à travers le trou TO-3P ((L)

2SA1943-O(Q) Transistor bipolaire (BJT) PNP 230 V 15 A 30 MHz 150 W à travers le trou

Toshiba
Catégorie de produit: Transistors bipolaires - BJT
Pour les véhicules à moteur: Détails
À travers le trou
Pour TO-3P-3
PNP
Unique
230 V
230 V
5 V
1.5 V
15 A
150 W
30 MHz
-
+ 150 °C
2SA
Plateau
Marque: Toshiba
Courant continu du collecteur: - 15 A
Le collecteur de courant continu/gain de base hfe Min: 55
Gain de courant continu hFE max: 160
La hauteur: 26 mm
Longueur: 20.5 mm
Type de produit: BJT - Transistors bipolaires
Subcatégorie: Transistors et appareils électroniques
Technologie: Je sais.
Largeur: 5.2 mm
Poids unitaire: 0.238311 once

 

Applications des amplificateurs de puissance

• Voltage élevé du collecteur: VCEO=-230 V (min)
• complémentaire à 2SC5200
• Recommandé pour le stade de sortie de l'amplificateur de fréquence audio haute fidélité de 100 W.

 

2SA1943-O ((Q) Bipolaire (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30 MHz 150 W à travers le trou TO-3P ((L)

 

 

Les spécifications

  • Fabricant: Toshiba
  • Type de transistor: NPN
  • Type de colis: TO-3PL
  • Dissipation de puissance maximale: 150 W
  • Voltage de l'émetteur du collecteur (VCEO): 230 V
  • Courant maximal du collecteur: 15A
  • Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
  • Fréquence: 30 MHz
  • Type de montage: par trou
  • Température de fonctionnement: 150°C TJ
  • Statut de la partie: obsolète

 

 

 

 

2SA1943-O ((Q) Bipolaire (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30 MHz 150 W à travers le trou TO-3P ((L)

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Le stock:
2000PCS
Nombre de pièces:
1pcs