IS61WV5128BLL-10TLI SRAM 4Mb (512k x 8) 10ns SRAM asynchrone 3.3v Circuits intégrés

Les données de l'appareil doivent être utilisées pour le traitement des données de l'appareil.

Définition
Le système ISSI IS61WV5128Axx et le système IS61/64WV5128Bxx
sont très rapides, à faible puissance, 524.288 mots par
La RAM statique CMOS de 8 bits est équipée de la caméra IS61 WV5128Axx et de la caméra
IS61/64WV5128Bxx sont fabriqués à l'aide de
La technologie CMOS, très fiable, permet de réaliser des
Ce système est associé à des techniques de conception de circuits innovantes.
offre des performances plus élevées et une faible consommation d'énergie
les appareils.
Lorsque CE est HIGH (désactivé), l'appareil suppose
un mode de veille dans lequel la dissipation de puissance peut être
réduit avec les niveaux d'entrée CMOS.
Les systèmes IS61WV5128Axx et IS61/64WV5128Bxx fonctionnent
d'une seule source d'alimentation.
Les modèles IS61WV51 28ALL et IS61/64WV5128BLL sont disponibles pour les
pouvant être utilisé dans des systèmes de sortie de l'air à 36 broches, 400 mil, mini BGA à 36 broches et 44 broches
les emballages TSOP (type I).
Les IS61WV5128ALS et IS6 1/64WV5128BLS sont
est disponible en sTSOP à 32 broches (type I), sTSOP à 32 broches (type l),
les paquets SOP à 32 broches et TSOP à 32 broches (type I1).

Caractéristiques
La valeur de l'indicateur est la valeur de l'indicateur d'indicateur.
● Temps d'accès à grande vitesse:8, 10, 20 ns
● Faible puissance active: 85 mW (typique)
● Faible puissance en veille: 7 mW (typique)
CMOS en veille
La puissance de sortie de l'appareil doit être supérieure ou égale à la puissance de sortie du système.
● Temps d'accès à grande vitesse: 25, 35 ns
● Faible puissance active: 35 mW (typique)
● Faible puissance en veille: 0,6 mW (typique)
CMOS en veille
●Alimentation électrique unique
- Voo de 1,65 V à 2,2 V (IS61 WV5128Axx)
- VoD de 2,4 V à 3,6 V (IS61/64WV5128Bxx)
● Fonctionnement totalement statique: pas d'horloge ni de rafraîchissement
Nécessaire
●Trois sorties d'état
●Support de la température dans les secteurs industriel et automobile
●Il est disponible sans plomb

L'IS61WV5128BLL-10TLI est un numéro de pièce spécifique pour un périphérique de mémoire.

un module de mémoire à accès aléatoire statique (SRAM) fabriqué par Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI).

Voici quelques informations sur ce périphérique de mémoire particulier:

• Capacité de mémoire: 128 mégaoctets (Mb) ou 16 mégaoctets (MB)
• Type de mémoire: SRAM asynchrone
• Temps d'accès: 10 ns (nanosecondes)
• Organisation: 4 banques x 4 096 lignes x 2 048 colonnes
• Type d'emballage: TSOP à 44 broches (emballage à contour mince)
• Plage de température: industrielle (-40°C à +85°C)
• L'alimentation en tension: l'IS61WV5128BLL-10TLI fonctionne avec une plage d'alimentation en tension de 2,7 V à 3,6 V.
• Densité: Le périphérique de mémoire a une densité de 128 mégaoctets, ce qui équivaut à 16 mégaoctets.
• Temps d'accès: Le temps d'accès spécifie la vitesse à laquelle les données peuvent être lues ou écrites dans la mémoire.
• Dans ce cas, le temps d'accès est de 10 nanosecondes (ns), ce qui indique une opération relativement rapide.
• Organisation: La mémoire est organisée en 4 banques, chacune composée de 4 096 lignes et 2 048 colonnes.
• Cette organisation permet un stockage et une récupération efficaces des données.
• Type d'emballage: le IS61WV5128BLL-10TLI est livré en TSOP (Thin Small-Outline Package) à 44 broches.
• Cet ensemble est couramment utilisé pour les circuits intégrés et offre une conception compacte pour une intégration facile dans les circuits intégrés.
• les systèmes électroniques.
• Plage de température: la mémoire est conçue pour fonctionner dans une plage de température industrielle de -40°C à +85°C.
• Cette large plage de températures permet un fonctionnement fiable dans divers environnements.