MX25L6445EMI-10G FLASH - NOR IC mémoire 64Mbit SPI 104 MHz 16-SOP circuits intégrés IC
Catégorie:
CI de circuits intégrés
Prix:
Email us for details
Méthode de paiement:
Paypal, TT, Western Union
Les spécifications
Code de la date:
Code le plus récent
Expédition par:
DHL/UPS/FEDEX
Condition:
Nouveau*Original
Garantie:
365 jours
sans plomb:
Conforme à la norme Rohs
Temps de réalisation:
Envoi immédiat
Le paquet:
SOP16
Mode de montage:
DSM/SMT
Mettre en évidence:
MX25L6445EMI-10G
,Mémoire IC 64 Mbit
,MX25L6445EMI-10G Circuits intégrés
Introduction au projet
MX25L6445EMI-10G FLASH - NOR IC mémoire 64Mbit SPI 104 MHz 16-SOP
|
Catégorie
|
|
|
Mfr
|
|
|
Série
|
|
|
Statut du produit
|
Pas pour les nouveaux modèles
|
|
DigiKey est programmable
|
Vérifié
|
|
Type de mémoire
|
Non volatils
|
| Le paquet | Tuyaux |
|
Format de mémoire
|
|
|
Technologie
|
Flash - Ni même
|
|
Taille de mémoire
|
|
|
Organisation de la mémoire
|
8M x 8
|
|
Interface de mémoire
|
SPI
|
|
Fréquence d'horloge
|
104 MHz
|
|
Écrire le temps du cycle - mot, page
|
300 μs, 5 ms
|
|
Voltage - alimentation
|
2.7V ~ 3.6V
|
|
Température de fonctionnement
|
-40°C à 85°C (TA)
|
|
Type de montage
|
Monture de surface
|
|
Emballage / boîtier
|
|
|
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur
|
16-SOP
|
|
Numéro du produit de base
|
Définition:
Interface périphérique en série compatible - Mode 0 et Mode 3
●64 Mb: 67,108,864 x structure à 1 bit ou 33,554,432 x 2 bits (deux modes /0)
structure ou 16,777,216 x 4 bits (quatre modes 10)
●2048 Secteurs égaux de 4 bytes chacun
- N'importe quel secteur peut être effacé individuellement.
●256 Blocs égaux de 32K octets chacun
- Tout Bloc peut être effacé individuellement.
●128 Blocs égaux avec 64K octets chacun
- Tout Bloc peut être effacé individuellement.
●Opération d'alimentation électrique
- 2,7 à 3,6 volts pour les opérations de lecture, d'effacement et de programmation
●Le verrouillage est protégé à 100mA de -1V à Vcc +1V
RÉSULTANCE
● Hautes performances
VCC = 2,7 à 3,6 V
- Une lecture normale.
- 50 MHz
- Lecture rapide (mode série normal)
.1 10: 104 MHz avec 8 cycles de simulateur
-2 l/O: 70 MHz avec 4 cycles de simulateur
- 4 IO: 70 MHz avec 6 cycles de simulations
- Lecture rapide (mode à double taux de transfert)
-1 10: 50 MHz avec 6 cycles de simulateur
- 2 IO: 50 MHz avec 6 cycles de simulations
-410: 50MHz avec 8 cycles factices
- Temps de programmation rapide: 1,4 ms (typiquement) et 5 ms (maximum) par page (256 octets par page)
- Temps de programmation par octet: 9 us (typique)
Mode de programmation en continu (augmentation automatique de l'adresse sous le mode de programme de mot)
. Temps d'effacement rapide: 60 ms (typique/secteur (4K-byte par secteur); 0,7 s (typique) /block (64K-byte par block); 50 s (typique) /chip
●Faible consommation d'énergie
- Faible courant actif de lecture: 19 mA (max.) à 104 MHz, 15 mA (max.) à 66 MHz et 10 mA (max.) à 33 MHz
- Faible courant actif de programmation: 25mA (max.)
- Faible courant d'effacement actif: 25mA (max.)
- Faible courant de veille: 50 uA (max.)
- courant d'arrêt à haute puissance: 20 uA (max.)
100 000 cycles d'effacement/programme typiques
20 ans de conservation des données
Envoyez le RFQ
Le stock:
Nombre de pièces:
1pcs
