MT40A1G16KNR-075:E SDRAM DDR4 Mémoire IC 16Gbit parallèle 1,33 GHz 19 ns Circuit intégré
MT40A1G16KNR-075 : E
,MT40A1G16KNR-075:E IC de mémoire
,SDRAM IC mémoire DDR4
MT40A1G16KNR-075:E SDRAM - mémoire DDR4 IC 16Gbit parallèle 1,33 GHz 19 ns
| Technologie des microns | |
| Catégorie de produit: | DRAM |
| Pour les véhicules à moteur | Détails |
| SDRAM - DDR4 | |
| Le système de détection de l'émission | |
| Le numéro d'immatriculation | |
| 16 bits | |
| 1 G x 16 | |
| 16 Gbit | |
| 1.6 GHz | |
| 13.5 ns | |
| 1.26 V | |
| 1.14 V | |
| 118,8 mA | |
| 0 C | |
| + 95 °C | |
| MT40A | |
| Plateau | |
| Marque: | Des microns |
| Sensible à l'humidité: | - Oui, oui. |
| Type de produit: | DRAM |
| Subcatégorie: | Mémoire et stockage de données |
| Nom commercial: | Je vous en prie. |
| Poids unitaire: | 0.227649 onces |
Définition
La DDR4 SDRAM 16Gb (TwinDieTM) utilise la matrice DDR4 SDRAM 8Gb de Micron; deux x8s combinés pour créer
Un signal x16 similaire à celui du mono x16, il y a une connexion ZQ supplémentaire pour une étalonnage ZQ plus rapide et un
Le contrôle BG1 est requis pour l'adressage x8.
les spécifications non incluses dans le présent document.
au numéro de pièce de fabrication TwinDie MT40A1G16.
Caractéristiques
• Utilise deux matrices microniques de 8 Go pour en faire une de 16
• TwinDie de rang unique • VDD = VDDQ = 1,2 V (1,14-1,26 V)
• I/S terminée par VDDQ de 1,2 V
• Ball-out selon la norme JEDEC
• Un ensemble de mesures discrètes
• TC de 0°C à 95°C - 0°C à 85°C: 8192 cycles de rafraîchissement en 64 ms - 85°C à 95°C: 8192 cycles de rafraîchissement en 32 ms
Configuration des options
- 64 Megx 16 x 16 banques x 1 rang
Package FBGA de 96 boules (sans Pb)
-9,5 mmx14 mmx1,2 mmDieRev:A
- 8,0 mmx14 mmx1,2 mm.
- 7,5 mm x 13,5 mm x 1,2 mm Le revêtement:
Temps - durée du cycle
- 0,625ns @ CL = 22 (DDR4-3200)
0Le nombre de points d'interrogation doit être supérieur à:
- 0,750ns @ CL= 19 (DDR4-2666)
- 0,750ns @ CL= 18 (DDR4-2666)
- 0,833ns @ CL = 17 ((DDR4-2400)
- 0,833ns @ CL= 16 (DDR4-2400)
- 0,937ns @ CL= 15 (DDR4-2133)
- 1.071ns @ CL= 13 (DDR4- 1866)
Autorefresh
- Une norme.
Température de fonctionnement
- commerciaux (0°C≤Tc≤95°C)
Révision
Le MT40A1G16KNR-075:E est un numéro de pièce spécifique pour un module de mémoire.
MT40A1G16KNR-075:E basé sur les résultats de recherche:
-
Fabricant et Produit:
- Le MT40A1G16KNR-075:E est fabriqué par Micron, une société bien connue dans l'industrie de la mémoire et du stockageLes produits de base.
- C'est un module de mémoire qui appartient à la SDRAM DDR4 (Double Data Rate 4 Synchronous Dynamic Random
- Famille de mémoireLes produits de base.
-
Les spécifications:
- Capacité: le "1G" dans le numéro de la partie indique une capacité de 1 Gigabit (Gb), ce qui équivaut à 128 Mégaoctets
- (MB)Les produits de base.
- Organisation: le "16" dans le numéro de pièce représente l'organisation du module de mémoire, qui est de 16 bitsLes produits de base.
- Vitesse: le "075" dans le numéro de pièce indique le degré de vitesse du module.
- taux de transfert de 2133 mégatransfers par seconde (MT/s)Les produits de base.
- Voltage: le "E" dans le numéro de pièce indique le niveau de tension du module, qui est de 1,2 voltLes produits de base.
-
Applications:
- Le module de mémoire MT40A1G16KNR-075:E est couramment utilisé dans divers appareils électroniques tels que les ordinateurs, les serveurs et autres systèmes nécessitant une mémoire haute performanceLes produits de base.
