M95512-WMN6P Mémoire EEPROM IC 512Kbit SPI 16 MHz Circuits intégrés 8-SOIC

IC de mémoire EEPROM de 512 Kbit
,Le système d'exploitation de la mémoire interne de l'EEPROM
,M95512-WMN6P
M95512-WMN6P Mémoire EEPROM IC 512Kbit SPI 16 MHz Circuits intégrés 8-SOIC
STMicroélectronique | |
Catégorie de produit: | Résultats |
Pour les véhicules à moteur: | Détails |
DSM/SMT | |
Le code de l'OMC est le suivant: | |
SPI | |
512 kbit | |
64 k x 8 | |
2.5 V | |
5.5 V | |
- Quarante degrés. | |
+ 85 °C | |
16 MHz | |
25 ns | |
200 ans | |
8 mA | |
M95512-W | |
Tuyaux | |
Courant de lecture actif - max: | 8 mA |
Marque: | STMicroélectronique |
La hauteur: | 1.65 mm |
Longueur: | 5 mm |
Courant d'alimentation de fonctionnement: | 6 mA |
Voltage d'alimentation de fonctionnement: | 3.3 V, 5 V |
Type de produit: | Résultats |
Voltage de programmation: | 2.5 V à 5,5 V |
Subcatégorie: | Mémoire et stockage de données |
Largeur: | 4 mm |
Poids unitaire: | 0.019048 oz |
Définition
Les dispositifs M95512 sont des mémoires programmables électriquement effaçables (EEPROM) organisées comme suit:
Le M95512-W peut fonctionner avec une tension d'alimentation de 2,5 V
Le M95512-R peut fonctionner avec une tension d'alimentation de 1,8 V à 5,5 V et le M95512-DF peut fonctionner avec une tension de
fonctionner avec une tension d'alimentation de 1,7 V à 5,5 V, sur une plage de température ambiante de -40 °C / +85 °C.
Le M95512-DF offre une page supplémentaire, appelée la page d'identification (128 octets).
page peut être utilisée pour stocker des paramètres d'application sensibles qui peuvent être (plus tard) verrouillés en permanence
en mode en lecture seule.
Caractéristiques
• Compatible avec le bus d'interface périphérique série (SPI)
• Array de mémoire de 512 Kbit (64 Kbyte) de EEPROM Taille de page: 128 octets Page verrouillable par écrit supplémentaire
(Page d'identification)
• Temps d'écriture Bytes Écriture en 5 ms Page Écriture en 5 ms
• Écrire protection ⁄ quart de tableau ⁄ demi tableau ⁄ tout le tableau de mémoire
• Horloge à grande vitesse: 16 MHz
• tension d'alimentation unique: ¥ 2,5 V à 5,5 V pour M95512-W ¥ 1,8 V à 5,5 V pour M95512-R ¥ 1,7 V à 5,5 V pour M95512-DF
• Plage de température de fonctionnement: de -40 °C à +85 °C
• Protection renforcée contre la DSE
• Plus de 4 millions de cycles d'écriture
• Conservation des données pendant plus de 200 ans
• Les emballages ∆ SO8N (ECOPACK2) ∆ TSSOP8 (ECOPACK2) ∆ UFDFPN8 (ECOPACK2) ∆ WLCSP8 (ECOPACK2)
Définition
Les dispositifs M95512 sont des mémoires programmables électriquement effaçables (EEPROM) organisées comme suit:
Le M95512-W peut fonctionner avec une tension d'alimentation de 2,5 V
Le M95512-R peut fonctionner avec une tension d'alimentation de 1,8 V à 5,5 V et le M95512-DF peut fonctionner avec une tension de
fonctionner avec une tension d'alimentation de 1,7 V à 5,5 V, sur une plage de température ambiante de -40 °C / +85 °C.
Le M95512-DF offre une page supplémentaire, appelée la page d'identification (128 octets).
page peut être utilisée pour stocker des paramètres d'application sensibles qui peuvent être (plus tard) verrouillés en permanence
en mode en lecture seule.
Caractéristiques
• Compatible avec le bus d'interface périphérique série (SPI)
• Array de mémoire de 512 Kbit (64 Kbyte) de EEPROM Taille de page: 128 octets Page verrouillable par écrit supplémentaire
(Page d'identification)
• Temps d'écriture Bytes Écriture en 5 ms Page Écriture en 5 ms
• Écrire protection ⁄ quart de tableau ⁄ demi tableau ⁄ tout le tableau de mémoire
• Horloge à grande vitesse: 16 MHz
• tension d'alimentation unique: ¥ 2,5 V à 5,5 V pour M95512-W ¥ 1,8 V à 5,5 V pour M95512-R ¥ 1,7 V à 5,5 V pour M95512-DF
• Plage de température de fonctionnement: de -40 °C à +85 °C
• Protection renforcée contre la DSE
• Plus de 4 millions de cycles d'écriture
• Conservation des données pendant plus de 200 ans
• Les emballages ∆ SO8N (ECOPACK2) ∆ TSSOP8 (ECOPACK2) ∆ UFDFPN8 (ECOPACK2) ∆ WLCSP8 (ECOPACK2)

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Image | partie # | Définition | |
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