JS28F512M29EWHA FLASH - NOR IC mémoire 512Mbit parallèle 110ns 56-TSOP circuits intégrés IC
JS28F512M29EWHA FLASH - NOR IC mémoire 512Mbit parallèle 110ns 56-TSOP circuits intégrés IC
| Technologie des microns | |
| Catégorie de produit: | Ne pas éclairer |
| DSM/SMT | |
| Le TSOP-56 | |
| M29EW | |
| 512 Mbit | |
| 2.3 V | |
| 3.6 V | |
| 50 mA | |
| Parallèlement | |
| 64 M x 8/32 M x 16 | |
| 8 bits et 16 bits | |
| Asynchrone | |
| - Quarante degrés. | |
| + 85 C | |
| Plateau | |
| Marque: | Des microns |
| Type de mémoire: | N' est pas |
| Type de produit: | Ne pas éclairer |
| Vitesse: | 110 ns |
| La norme: | Interface flash commune (CFI) |
| Subcatégorie: | Mémoire et stockage de données |
| Le type: | Bloc de démarrage |
Caractéristiques
●2Gb = appareil empilé (deux matrices de 1Gb)
- Vcc = 2,7 à 3,6 V (programme, efface, lise)
- VccQ = 1,65- -Vcc (1/0 tampons)
●Lecture aléatoire asynchrone des pages
一Taille de page: 16 mots ou 32 octets
Un accès à la page: 25ns
- Accès aléatoire: 100 ns (BGA renforcé); 110 ns (TSOP)
● Programme tampon: programme tampon de 512 mots
●Temps de programmation
一0.88us par octet (1,14 MB/s) TYP lorsque vous utilisez plein
Taille du tampon de 512 mots dans le programme tampon
● Organisation de la mémoire
- Blocs uniformes: 128 Kbytes ou 64 Kwords chacun
● Contrôleur de programmation/effacement
- Un programme par octet intégré (x8) / mot (x16)
rythmes
● Programme / effacer suspendre et reprendre la capacité
-Lire à partir d'un autre bloc pendant un programme
Opération SUSPEND
- Lire ou programmer un autre bloc pendant une ERASE
Opération SUSPEND
Opération BLANK CHECK pour vérifier un bloc effacé
● Déverrouiller le contournement, effacer le blocage, effacer la puce et écrire à
capacité de tampon
- programmation par lots et par tampon rapide
- Effacement rapide du bloc/puce
●Protection contre les broches Vpp/WP#
- Protège le premier ou le dernier bloc indépendamment du bloc
réglages de protection
Protection des logiciels
- Protection contre les volatiles
- Protection contre la volatilité
- Protection par mot de passe
Un mot de passe
● Bloc de mémoire étendu
一128 mots (256- octets) bloc pour permanent, sécurisé
l'identification
一Programmé ou verrouillé à l'usine ou par le
client
● Faible consommation d'énergie: en mode veille
●conforme à la norme JESD47
一100, 000 cycles minimaux d'ERASE par bloc
- Conservation des données: 20 ans (TYP)
Technologie de procédé de la cellule multilevel MLC)
Le paquet
Un TSOP à 56 broches, 14 x 20 mm
BGA renforcé à 64 boules, 13 x 11 mm
●Des paquets verts sont disponibles
- Conforme à la directive RoHS
- sans halogène
●Température de fonctionnement
- Ambiance: - 40°C à +85°C
Tél.: +86-755-23606019
Adresse: chambre 1205-1207, bâtiment Nanguang, rue Huafu, District de Futian,Shenzhen,Guangdong,Chine
Je vous en prie.
Téléphone: +86-13420902155
Je vous envoie un e-mail: sales@wisdtech.com.cn
Je suis désolé.
WhatsApp: +8613420902155 Vous pouvez nous contacter par téléphone.
Skype: sales@wisdtech.com.cn Vous pouvez nous contacter
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volts 24/25 TBGA 2
NT1 détecteur d'électricité NT1 détecteur d'électricité
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT Circuits intégrés
| Image | partie # | Définition | |
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volts 24/25 TBGA 2 |
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volts 24/25 TBGA 2
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NT1 détecteur d'électricité NT1 détecteur d'électricité |
NT5CC128M16JR-EK DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin TFBGA
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MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT Circuits intégrés |
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1 CT
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